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W66BM6NBUAFI TR

  • Winbond Electronics
  • 最新
  • 2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, INDUS
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
系列
-
零件状态
有源
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量
2Gb （128M x 16）
存储器接口
LVSTL_11
时钟频率
1.6GHz
写周期时间 - 字，页
18ns
访问时间
18ns
电压 - 电源
1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
200-WFBGA
供应商器件封装
200-WFBGA（10x14.5）
商品其它信息
优势价格，W66BM6NBUAFI TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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