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UGBT、MOSFET - 单
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NGTB03N60R2DT4G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
Digi-Key 停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
9A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
12A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，3A
功率 - 最大值
49W
开关能量
50µJ（开），27µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
17nC
25°C 时 Td（开/关）值
27ns/59ns
测试条件
300V，3A，30 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
65ns
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
商品其它信息
优势价格，NGTB03N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKP06N60XKSA1
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